SiC（碳化硅）相较于传统硅器件，八成显贵裁汰损耗，因此在智能电网、新能源汽车中备受刺眼。闻泰科技半导体业务积极布局第三代半导体限制，加快发力SiC技艺，管待改日庞杂发展机遇。

碳化硅（SiC）俗称金刚砂，是硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物。SiC晶体管是自然的E型MOSFET，导通电阻远低于硅MOSFET，因而能效更高。此外，其高压、高电流的特质使其很适合用于汽车电源电路。

跟着公共对新能源汽车的加快延迟，SiC的需求呈现爆炸式增长。EVTank数据闪现，2023年公共新能源汽车销量达到1465.3万辆，同比增长35.4%，瞻望到2030年将达到4700万辆。受益于汽车电气化的捏续激动，商场对SiC的需求增长显著，往日5年，特斯拉和比亚迪等OEM的汽车中SiC MOSFET的取舍量出现了惊东谈主的增长。

光伏风电和储能亦然SiC快速发展的进军推能源。同期类似“双碳”战术的推动，给SiC商场带来了盛大的后劲。Yole Group预测，到2029年，功率SiC器件商场将达到近100亿好意思元。

关于汽车限制来说，为了克服电车续航里程和充电速率上的两大短板，电动汽车行业正加快升级电板系统。功率更高的电压系统需要1200V的耐压功率芯片，是以1200V的SiC功率器件是业界共同的发力主义。

当今公司半导体业务已奏效研发出具有性能优异的1200V SiC MOSFET，不同规格以及封装纯果真SiC MOSFET器件，不错得志电动汽车OBC、充电桩、不息交电源以及太阳能和储能系统等多个汽车和工业商场。

通过翻新工艺技艺，公司半导体业务的SiC MOSFET居品组合在多个参数上终清楚一流的性能：

1. 出色的导通电阻温度褂讪性。在25℃至175℃规模内，RDS(on)标称值仅增多30%

2. 出众的空洞品性因数FoM。空洞损耗更小，效果更高，增强器件可靠性

3. 出色的阈值电压褂讪性。平衡的载流性能，高肃穆性，八成延长居品寿命

4. 低体二极管正向压降。有助于栽培器件肃穆性和效果，放宽死区时分条款

公司半导体业务在SiC限制的翻新和居品建树为改日的增长奠定了坚实的基础。跟着公共对高效果、低功耗电力电子器件的需求箝制增长，闻泰科技半导体业务的居品有望在智能电网、新能源汽车、光伏风电和储能等限制发达更大的作用，进一步推动行业的捏续发展和翻新。